Materiály z uhlíku a z karbidu křemíku bývají slušně odolné vůči nehostinnému prostředí a vykazují i stabilní absorpční vlastnosti vln. Oba materiály však vykazují významné nedostatky, pokud jde o intenzitu absorpce a šířku pásma. Tým z čínského technologického institutu však ze zmíněných materiálů vyvinul duté kompozitní mikrosféry, které tento nedostatek mění.
Vzhledem k prudkému rozvoji elektronických technologií pro vojenské i civilní aplikace nabývají na důležitosti prostředky pro zajištění elektromagnetické ochrany i takzvané neviditelnosti vůči radarům. V tomto směru již vědci objevili řadu více či méně slibných materiálů, které ale často trpí problémem se zhoršenou stabilitou v podmínkách reálného prostředí nebo nedosahují dostatečné potřebné intenzity absorpce a šířky pásma.
Pro úspěch materiálů, které mají zařídit ochranu rozmanitých zařízení před elektromagnetickým zářením, případně zajistit i jejich „neviditelnost“ vůči detekčním systémům, je ale přitom zásadní, aby výborně pohlcovaly záření určitých vlnových délek a současně odolávaly drsným podmínkám v terénu.
Velmi solidní odolnost nabízejí materiály z uhlíku a z karbidu křemíku. Ty se však obvykle potýkají s nedostatečnou absorpcí elektromagnetického záření v potřebné šíři pásma. Tým, který vedl Jün-Čchen Tu z čínského institutu sídlícího v Nan-kangu (Harbin Institute of Technology), ovšem vyvinul z uhlíku a z karbidu křemíku (SiC/C) duté kompozitní mikrosféry (nebo, chcete-li, mikrokuličky), které si zachovávají vysokou odolnost a přitom v pohlcování elektromagnetických vln vynikají natolik, že v tomto směru porážejí většinu doposud známých materiálů podobného složení.
Tu s kolegy provedli řadu experimentů, které prokázaly, že nové mikrosféry mají rovněž i skvělé „stealth“ vlastnosti. Dokážou tedy skrývat vojenskou techniku vůči zobrazování radary.
Vědci navíc „potrápili“ mikrosféry za různých teplot, a to v kyselém i v zásaditém prostředí, a výsledky experimentů potvrdily, že si zachovávají vysokou stabilitu a funkcionalitu i za extrémně náročných podmínek a že ani výjimečně nepříznivé prostředí nevyvolává žádné nápadné změny v jejich schopnostech.
Schéma mechanismu přípravy SiC/C kompozitů (a); SEM, tedy snímky z rastrovacího elektronového mikroskopu (b); TEM, tedy snímky z transmisního elektronového mikroskopu (c, d) a odpovídající snímky mapování prvků PR@SiO2/PR-3 (e); SEM snímky (f, g) a TEM snímky SiO2/C-3 (h, i); a konečně TEM snímky s různou teplotou pyrolýzy (250, 350, 450 a 550 °C) SiO2/C-3 (j—m)
© Harbin Institute of Technology