Mezinárodní tým vědců a inženýrů oznámil významný pokrok ve výrobě procesorů atomární tloušťky. Jejich objev by mohl mít dalekosáhlé důsledky pro výrobu nanočipů a také pro výzkum a vývoj nových 2D materiálů pro stále menší a rychlejší polovodiče. Elisa Riedová z americké New York University a její spolupracovníci použili litografii se sondou ohřátou nad 100 °C. S tímto postupem dosáhli v porovnání se stávajícími technologiemi lepších výsledků při výrobě kovových elektrod na polovodičích z 2D materiálů, jako je například sulfid molybdeničitý. To jsou materiály, které jsou mezi nadějnými kandidáty pro nahrazení křemíku při výrobě čipů atomární tloušťky. Svou novou metodu nazvali litografie s termální skenující sondou (t-SPL, podle anglického thermal scanning probe lithography) a tvrdí, že oproti dnes používané elektronové litografii (EBL, anglicky electron beam lithography) přináší celou řadu výhod. Podle Riedové a spol. jejich litografie s termální skenující sondou podstatně zlepšuje kvalitu vyrobených tranzistorů z 2D materiálů. Rovněž umožňuje návrhářům architektury čipů snadné zobrazení 2D polovodiče a následné umístění elektrod tam, kde je to potřebné. Litografie t-SPL také slibuje podstatné úspory v počáteční investici, i pokud jde o operační náklady. Jde o to, že funguje v běžných podmínkách prostředí, což dramaticky snižuje spotřebu energie. Při tomto postupu totiž není nutné používat vysokoenergetické elektrony ani ultravysoké vakuum. Velkou předností nové metody je i to, že může být snadno využívána v průmyslovém měřítku. Riedová také věří, že díky jejich nové technologii bude možné přesunout velkou část výzkumu a vývoje čipů z pokročilých 2D materiálů ze sterilního prostředí čistých místností do méně úzkostlivě sledovaného prostředí běžných laboratoří pro práci s nanomateriály. To by mělo významně urychlit a zjednodušit vývoj nových materiálů i čipů z nich postavených.
