Pracovníci společnosti Festo řešili způsob zajištění přepravy a skladování waferů, aniž by se dostaly do kontaktu s kyslíkem. Řešením byla nádoba s průběžným konstantním zásobováním dusíkem. Snímače, počítače a elektronika do automobilů, smartphony, energeticky úsporné zářivky nebo chladničky ani další zařízení mnoha oblastí se neobejdou bez polovodičů. V jejich výrobě pak hrají důležitou roli tzv. wafery. Tyto zhruba 1 mm silné substrátové disky fungují jako základní desky pro elektronické struktury a prvky obvodů nebo fotoelektrických článků. Vyrábějí se z bloku surového materiálu, takzvaného ingotu, a následně se zpracovávají do podoby mikročipů. Disky jsou obvykle vyráběny z polokovových materiálů, jako je křemík. Jelikož se však používají prvky o velikostech v řádu mikrometrů nebo dokonce nanometrů, nesmějí se na disky dostat absolutně žádné nečistoty. Dokonce i jediný lidský vlas nebo šupinka z kůže mohou způsobit, že bude konečný výrobek nepoužitelný. Proto musí být v čistých výrobních prostorách dodržovány ty nejpřísnější hygienické podmínky. Transport bez kyslíku ve FOUP Zvláštní pozornost je třeba věnovat přepravě disků z jedné zpracovatelské stanice na další. Jakmile se destičky dostanou do kontaktu s kyslíkem, zoxidují a přestanou být použitelné. Disky se přepravují ve standardizované nádobě s předním otevíráním – Front Opening Unified Pod, zkráceně nazývané FOUP. Tento unikátní kontejner je speciálně navržen pro přepravu v čistých prostorách. FOUP je trvale zásobován dusíkem, a proto v něm nemůže být žádný kyslík. Důležité je, aby byl přívod dusíku konstantní po celou dobu. Citlivé wafery mohou zničit i malé výkyvy. Řešení společnosti Festo je založeno na N2 proplachovacím systému, který zajišťuje konstantní přívod dusíku do nádob. Předem sestavený regulátor průtoku průběžně zásobuje FOUP inertním dusíkem. Přesné nastavení průtoku a jeho energetickou úspornost zajišťují piezoventil a čidlo průtoku, doplněné příslušnou technologií regulace. Konstrukce piezoventilu navíc snižuje riziko kontaminace proudu plynu abrazivními částicemi. Maximálně se uvolňuje jedna částice o velikosti 0,1 μm na obvod, oproti konvenčním řešením, která produkují pětkrát tolik částic. Tímto způsobem se zajistí nepřetržité zásobování dusíkem během zpracování. /f/