Tým vědců z laboratoře Hitachi
Cambridge, Fyzikálního ústavu
AV ČR a univerzit v Cambridge
Nottinghamu oznámil, že se
podařilo poprvé demonstrovat
nový efekt nazvaný anizotropní
magnetorezistence v režimu
Coulombovské blokády (dále
CBAMR).
Aktivní část mikročipu, ve kterém
byl jev pozorován, je zhotovena
feromagnetického polovodiče a má
rozměry jen několika desítek nanometrů.
Díky CBAMR efektu funguje
tato součástka zároveň jako magnetická
paměť a tranzistor.
Jednoduchost a nepatrné rozměry
tohoto přístroje, jeho funkčnost
spojující doposud oddělené oblasti
mikroelektroniky a velikost efektu
mohou mít veliký potenciál pro
technologie magnetických senzorů,
paměti a logických čipů. První
zařízení CBAMR funguje pouze
při nízkých teplotách, výzkumný
tým ovšem ukázal, že CBAMR je
generický efekt, který u zařízení
zhotovených z kovových feromagnetů
se silnou spin-orbitální
interakcí přetrvává až do vysokých
teplot.
Firma Hitachi je jedním z největších
výrobců magnetických paměťových
médií. Laboratoř Hitachi Cambridge
se zabývá fyzikálním výzkumem
v oboru spintroniky zaměřeným na
nové principy konstrukce a fungování
čtecích hlav pevných disků, operační
paměti a logických prvků. Fyzikální
ústav AV ČR a Hitachi Cambridge
v této oblasti dlouhodobě spolupracují.
Společná práce o CBAMR jevu
byla publikována ve Physical Review
Letters v srpnu.