Společnost Intel představila významný průlom ve vývoji
tranzistoru: poprvé od vynálezu křemíkových tranzistorů
před více než 50 lety budou nyní do výroby uvedeny tranzistory
využívající trojrozměrnou strukturu. Revoluční
3D tranzistor Tri-Gate vstoupí do masové výroby ve své
22nm výrobní technologii v čipu, jenž je zatím kódově
označován Ivy Bridge. Pro upřesnění: 1 nanometr představuje
1 miliardtinu metru.
Trojrozměrné tranzistory Tri-Gate
představují zásadní odklon od dvojrozměrných,
plochých tranzistorů, které
se uplatnily v dosavadních počítačích,
mobilních telefonech a přístrojích spotřební
elektroniky. Byla a jsou také
součástí elektroniky v automobilech,
kosmických lodích, domácích spotřebičích,
lékařských zařízeních a tisícovkách
dalších zařízení pro každodenní
použití.
„Naši výzkumní pracovníci znovu
přinesli revoluci do světa tranzistorů,
tentokrát vstupem do 3. rozměru,“ prohlásil
Paul Otellini, prezident a generální
ředitel společnosti Intel. „Na základě
těchto tranzistorů vzniknou nová
úchvatná zařízení a Mooreův zákon se
posune do nových oblastí.“
Vědci již delší dobu poukazují na výhody
trojrozměrné struktury k udržení
tempa Mooreova zákona. Rozměry
elektronických zařízení se natolik
zmenšily, že se z nich staly bariéry
bránící dalšímu pokroku. Klíčovým
aspektem pro představenou novinku je
schopnost Intelu využít nové trojrozměrné
tranzistory v masové výrobě,
což otevře dveře nové generaci inovací
napříč širokým spektrem zařízení.
Mooreův zákon je předpověď tempa
vývoje počítačové technologie. Říká,
že vývoj technologie se zrychlí zhruba
každé dva roky, přičemž se bude
zároveň zvyšovat funkčnost, výkon
a budou se snižovat náklady. Mooreův
zákon se stal základním modelem pro
odvětví polovodičů po více než 40 let.
OBROVSKE USPORY ENERGIE
A VYŠŠI VYKON
Díky trojrozměrným tranzistorům
Tri-Gate budou procesory fungovat při
nižším napětí s nižším únikem energie,
takže oproti předchůdcům nabídnou
bezkonkurenční kombinaci energetické
účinnosti a výkonu. To poskytne
zvláštní flexibilitu konstruktérům čipů,
kteří si mohou vybírat tranzistory
určené pro nízkou spotřebu, anebo naopak
vysoký výkon – vše podle typu
aplikace.
Trojrozměrné 22nm 3D tranzistory
garantují oproti plochým tranzistorům
Intel 32nm nárůst výkonu o 37 % při
nízkém napětí. Díky této úspoře jsou
nové tranzistory ideální pro použití
v malých úsporných kapesních zařízeních.
Spotřebují méně než polovinu
energie potřebné pro staré tranzistory
na 32nm čipech.
„Výkonnostní nárůst a úspora energie
trojrozměrných tranzistorů Tri-
Gate jsou něčím, co jsme v dějinách
výpočetní techniky zatím neviděli,“
říká Mark Bohr, výzkumný pracovník
společnosti Intel. „Rozdíl ve spotřebě
energie je podstatně větší, než na jaký
jsme zvyklí při vývoji od starší generace
k nové. Výrobci díky tomu mohou
vyrábět ještě inteligentnější přístroje
a samozřejmě to umožní i vývoj zcela
nových zařízení..“
JAK MALO (ANEBO MOC)
JE 22 NANOMETRŮ?
První tranzistor, který v roce 1947
vyrobila společnost Bell Labs, byl
tak velký, že se skládal dohromady
ručně. V případě revoluční novinky
by se na špendlíkovou hlavičku vešlo
přes 100 milionů 22nm tranzistorů
Tri-Gate. Brány 22nm tranzistoru
Tri-Gate jsou tak malé, že do šířky
lidského vlasu se jich vejdou 4000.
Kdyby se lidská obydlí zmenšovala
jako tranzistory, nebyla by dnes viditelná
bez mikroskopu. Pokud by měl
být 22nm tranzistor vidět pouhým
okem, pak by čip musel být větší než
dům.
Ve srovnání s prvním mikroprocesorem
Intel, jímž byl model 4004
uvedený v roce 1971, běhá 22nm
CPU 4000krát rychleji a každý tranzistor
spotřebuje 5000krát méně
energie. Cena tranzistoru klesla zhruba
50 000krát.
Tento 22nm tranzistor se dokáže
přepnout 100miliardkrát za sekundu.
Pokud by chtěl čtenář TT tolikrát rozsvítit
a zhasnout klasickou žárovku,
trvalo by mu to 2000 let...
Jedna věc je tranzistor Tri-Gate
navrhnout, druhá - uvést ho
do výroby. Továrny společnosti
Intel vyrábějí přes 5 miliard tranzistorů
každou sekundu. To je
150 000 000 000 000 000 tranzistorů
ročně, neboli přes 20 milionů tranzistorů
na každého muže, ženu a dítě
žijící na naší planetě.
POKRAČOVANI V TEMPU
INOVACE
Tranzistory jsou menší, levnější,
energeticky úspornější a v souladu
s Mooreovým zákonem. Ten byl pojmenován
po spoluzakladateli společnosti
Intel Gordonu Mooreovi.
Umožňuje inovovat a inovace dál
integrovat, obohacovat technologie
o nové vlastnosti, rozšiřovat počet jader
na čipech, zvyšovat výkon a snižovat
výrobní náklady na tranzistor.
Udržet vývoj Mooreova zákona je
u 22nm generace složitější, než tomu
bylo v minulosti. Trojrozměrné
tranzistory Tri-Gate jsou opravdu revoluční.
Tradiční ploché tranzistory
byly nahrazeny supertenkou trojrozměrnou
křemíkovou vrstvou, jež vertikálně
vystupuje z křemíkového substrátu.
Kontrola proudu je zajištěna
bránou na každé ze tří stran zmíněné
vrstvy: dvě brány po stranách a jedna
nahoře. To vše namísto pouhé jedné
brány nahoře, jako je tomu u dvojrozměrných
tranzistorů. Dodatečný
tranzistor umožňuje maximální tok
proudu při požadovaném vysokém
výkonu a naopak téměř nulový tok
v případě, když se výkon neočekává.
Díky tomu se podařilo výrazně snížit
spotřebu a tranzistor dokáže velice
rychle přecházet mezi oběma zmíněnými
stavy. To opět vede k vyššímu
výkonu.
Podobně jako mrakodrapy umožňují
architektům optimalizovat dostupné
místo tím, že se staví směrem
vzhůru, trojrozměrný tranzistor Tri-
Gate nabízí konstruktérům počítačů
způsob, jak řídit hustotu. Tranzistorové
ploutve jsou vertikální, tudíž
je lze umisťovat velice blízko sebe.
V budoucích generacích budou konstruktéři
moci zvyšovat výšku těchto
ploutví a dosahovat ještě vyššího výkonu
i energetické úspornosti.
PRVNI PREZENTACE
TRANZISTORŮ TRI-GATE
Tranzistor Tri-Gate bude implementován
v novém 22nm výrobním
procesu, který označuje velikost
tranzistoru. Jen pro ilustraci: do tečky
na konci této věty by se vešlo přes
6 milionů tranzistorů Tri-Gate.
Společnost Intel představila první
22nm mikroprocesor označovaný jako
Ivy Bridge pro notebooky, stolní
počítače a servery. Procesory
Intel® Core™ budou
prvními čipy, které budou
využívat tranzistory 3D
Tri-Gate. Procesory Ivy
Bridge se začnou sériově
vyrábět do konce roku
2011.
Dosažený průlom rovněž
umožní uvést na trh
další produkty postavené
na procesorech Intel®
Atom™. Mimo jiné zvýší
škálovatelnost výkonu,
funkčnost i kompatibilitu.
Uspokojí požadavky
na výkon, náklady a velikost.
JAK ŠEL VYVOJ?
Od vynálezu tranzistoru v roce
1947 se tato technologie vyvíjela
velice rychlým tempem a připravila
cestu pro další levnější a energeticky
efektivnější výrobky. Předchůdci
Ti-Gater v poslední době byli tzv.
napnutý křemík (strained silicon –
2003) a high-k/metal gate (2007).
Nyní (poprvé v dějinách) vstoupují
křemíkové tranzistory do III. rozměru.
Tok proudu se bude kontrolovat
na třech stranách kanálu (nahoře,
vlevo a vpravo) a nikoli jen shora,
jako je tomu v konvenčních plochých
tranzistorech. Výsledkem je
podstatně vyšší kontrola nad tranzistorem,
maximalizace toku proudu
(pro nejvyšší výkon) a naopak jeho
minimalizace, když je tranzistor vypnutý.
Klíčové milníky v dějinách tranzistoru:
? 16. prosince 1947 - William Shockley,
John Bardeen a Walter Brattain
z Bell Labs úspěšně vyrobili první
tranzistor.
? 1950 - William Shockley vyvinul
první bipolární tranzistor, tedy zařízení
dnes nejčastěji označované jako tranzistor.
? 18. října 1954 - na trh bylo uvedeno
první tranzistorové rádio Regency
TR1. Obsahovalo čtyři tranzistory
z germania.
? 25. dubna 1961 - Robert Noyce
získal první patent za integrovaný obvod.
Původní tranzistory dostačovaly
pro použití v rádiích a telefonech. Pro
potřeby elektroniky bylo zapotřebí něčeho
menšího – integrovaný obvod.
? 1965 - je definován Mooreův zákon,
jenž předvídá, že počet tranzistorů
na čipu se bude každý rok zdvojnásobovat.
O 10 let později se perioda upravuje
na dva roky.
? 1968 - Gordon Moore společně
s Bobem Noycem zakládá společnost
Intel. Název je zkratkou sousloví „integrovaná
elektronika“.
? 1969 - Intel úspěšně vyvíjí první
křemíkovou PMOS. Tyto tranzistory
i nadále používají jako dielektrikum
tradiční oxid křemičitý (SiO2). Zavádí
se nové polykřemičité elektrody.
? 1971 - Intel představuje první mikroprocesor
– 4004. Obsahoval 250
tranzistorů a byl vyráběn
technologií 10 mikronů
na 6 cm silných
destičkách.
? 1985 - na trh byl
uveden mikroprocesor
Intel386™, jenž obsahoval
275 000 tranzistorů
(100krát více, než
měl původní 4004).
Mikroprocesor byl
32bitový a zvládal multitasking,
takže uměl
provozovat více programů
současně. Původně
byl vyráběn za pomoci
CMOS technologie
1,5 mikronu.
? 13. srpna 2002 - Intel
představil několik technologických
novinek v chystané 90nm technologii,
včetně vysoce výkonných nízkoenergetických
tranzistorů, technologii
„strained silicon“, vysokorychlostní
měděné spojení a nový dielektrický
materiál low-k. Jde o první proces
v odvětví, který implementuje „napnutý
křemík“ do výroby.
? 29. ledna 2007 - Intel představuje
revoluční materiály pro tranzistory:
high-k a metal gate. Ty budou použity
pro výrobu izolačních stěn a přepínacích
bran na stovkách milionů mikroskopických
tranzistorů (45nm) uvnitř
nové generace procesorů Intel® Core
™2 Duo, Intel Core 2 Quad a Xeon®
– pod kódovým označením Penryn.
? 3. května 2011 - Intel oznamuje,
že uvedl do sériové výroby zcela nový
tranzistor Tri-Gate. /fa/