Vědci a inženýři celého světa se snaží vyvíjet nové technologie, které by pomohly poskytnout větší paměťovou kapacitu pro stále menší počítačové čipy. Jednou z možností jsou i ultratenké materiály, které tvoří jediná vrstva atomů. Dosavadní výzkum v tomto směru nebyl příliš úspěšný; až doteď. Tým inženýrů Texaské univerzity v Austinu ve spolupráci s čínskou Pekingskou univerzitou vyvinul zatím nejtenčí paměťové zařízení s vysokou kapacitou paměti. Z podobných materiálů by mohly vzniknout rychlejší, menší a výkonnější počítačové čipy pro velmi rozmanitou elektroniku, od každodenních aplikací až po zpracování „big data“ nebo počítače inspirované lidským mozkem. Vedoucí výzkumu Deji Akinwande říká, že mezi odborníky se dlouho věřilo, že není možné vyrobit paměťová zařízení ze 2D nanomateriálů, které mají tloušťku jediné vrstvy atomů. Jejich nová zařízení, kterým přezdívají „atomristory“, ale dokazují opak. Technologie atomristorů dovoluje plně integrovat nanostrukturovanou paměť s nanotranzistory na jeden čip. V současné době jsou paměti a tranzistory vždy oddělenými komponentami mikročipu. Atomristory ale kombinují obě dvě tyto funkce do jediného a více efektivního systému. Zařízení Akinwandeho týmu tvoří grafenové elektrody o tloušťce jediné vrstvy atomů společně s aktivní polovodičovou vrstvou ze sulfidu molybdeničitého, opět o tloušťce jednoho atomu. Kompletní paměťová buňka atomristoru má tloušťku pouhého 1,5 nm. Atomristory je díky tomu možné uspořádat velmi hustě, mnohem úsporněji, než jsou postaveny klasické flash paměti. Ultratenké atomristory rovněž zaručují rychlejší a efektivnější průchod elektrického proudu. Vzhledem k vlastnostem atomristorů z nich bude možné vytvářet pokročilé čipy ve 3D uspořádání. Takové čipy se velmi dobře uplatní ve vývoji počítačů, které budou fungovat podobně jako lidský mozek. Atomristory také přispívají k úspoře spotřebované energie, takže by jejich použití prodloužilo výdrž baterií. Akinwande a spol. jsou přesvědčeni, že si atomristory rychle najdou cestu k uplatnění na trhu.